Aixtron- und die Banken stufen fröhlich auf kaufen

www.flexolighting.eu/

klar gibt es risiken und mit trump wird das wahrscheinlich nicht weniger. die EU ist politisch auch nicht gerade fest.
aber was soll's,  ich hoffe aixtron wird weiter steigen und auch gute zahlen abliefern. auf hoch dann raus und dann kann man warten wie sich die märkte entwickeln.
irgendein drama kommt immer.

ee.ofweek.com/2018-10/ART-8320315-8500-30273672.html

www.compoundsemi.com/...licon-technology-for-power-conversion/

www.leti-cea.com/cea-tech/leti/english/...0Power%20Devices.pdf

www.aixtron.com/en/investors/...ower-switching%20devices_n236

Hervorhebung durch mich.

Die laterale Diffusionsmetalloxidhalbleiter (LDMOS) -Technologie hat den RF-Halbleitermarkt für kommerzielle Anwendungen seit Jahrzehnten dominiert. Heute hat sich dieses Gleichgewicht verändert, und die GaN-on-Si-Technologie wurde zur Technologie der Wahl, um die traditionelle LDMOS-Technologie zu ersetzen.

Im Vergleich zu LDMOS sind die Leistungsvorteile von Silizium-basiertem Galliumnitrid fest etabliert - es kann mehr als 70% Leistungseffizienz bieten, die Leistung pro Flächeneinheit um das 4- bis 6-fache erhöhen und auf hohe Frequenzen erweitert werden. Gleichzeitig haben umfassende Testdaten bestätigt, dass Silizium-basiertes Galliumnitrid strenge Zuverlässigkeitsanforderungen erfüllt, und seine HF-Leistung und Zuverlässigkeit sind mit der teuren GaN-auf-SiC-Ersatztechnologie vergleichbar oder sogar übertroffen.

GaN-Bauelemente auf Siliziumbasis weisen eine hohe Energiedichte und eine hohe Zuverlässigkeit auf Die Wafer können sehr groß sein, sie sind derzeit 8 Zoll lang und können 10 Zoll und 12 Zoll lang sein Die Länge des Wafers kann auf 2 Meter erweitert werden. Silizium-basierte GaN-Bauelemente weisen die Vorteile einer hohen Durchbruchspannung, eines niedrigen Einschaltwiderstands, einer schnellen Schaltgeschwindigkeit, einer Ladung ohne Rückspeisungsrückgewinnung, einer geringen Größe, eines niedrigen Energieverbrauchs und einer Strahlungsbeständigkeit auf. Theoretisch ist die Chipfläche unter der gleichen Durchbruchsspannung und Einschaltwiderstand nur ein Tausendstel Silizium, und gegenwärtig kann ein Zehntel erreicht werden.

Wenn es bei dem auf Silizium basierenden GaN-Gerät irgendwelche Unzulänglichkeiten gibt, ist der Preis des einzelnen Produkts teuer. Soweit wir wissen, werden die Kosten für die Unterstützung von peripheren elektronischen Komponenten und Kühlsystemen jedoch nach der Verwendung dieses Geräts stark reduziert. Obwohl GaN im Hinblick auf die individuellen Vorrichtungskosten teurer ist als siliziumbasierte Vorrichtungen, sind die Gesamtkosten des Systems, die Kostenlücke zwischen GaN- und siliziumbasierten Vorrichtungen sehr klein, und eine höhere Leistung als bei Siliziumvorrichtungen kann nach der Massenproduktion erreicht werden. Geringere Kosten

AI Core World | Technologie: Silizium-basiertes GaN, Etienne Sword in der 5G-Ära

Angesichts des beispiellosen Tempos und Umfangs des 5G-Infrastrukturausbaus besteht ein wachsendes Interesse an der Kostenstruktur, der Herstellung und den schnellen Reaktionsfähigkeiten von Silizium-basiertem GaN gegenüber LDMOS und GaN-basiertem Galliumnitrid sowie Lieferkettenflexibilität und Inhärente Zuverlässigkeit. Als herausragende Halbleitertechnologie, die einzigartig für die drahtlose Infrastruktur der nächsten Generation ist, wird Silizium-basiertes GaN voraussichtlich eine überlegene GaN-Leistung mit LDMOS-Kostenstruktur und kommerziellen Erweiterungsmöglichkeiten erreichen, die große Anforderungen unterstützen.

Vor kurzem kündigten STMicroelectronics und MACOM gemeinsam Pläne an, die Silizium-basierte GaN-Technologie in den Mainstream-HF-Markt und -Anwendungen einzuführen, was einen wichtigen Wendepunkt im GaN-Lieferketten-Ökosystem darstellt. Diese Kooperation soll den kostengünstigen Einsatz und Ausbau der Silizium-GaN-Technologie zu 4G-LTE-Basisstationen und großflächigen MIMO-5G-Antennen ermöglichen.

Die absolute Dichte der Antennenkonfiguration ist äußerst wertvoll für die Leistungs- und Wärmeleistung, insbesondere bei höheren Frequenzen. Bei richtiger Entwicklung werden sich die Energieeffizienzvorteile von Silizium-basiertem GaN stark auf die Betriebskosten der Basisstationen von Mobilfunknetzbetreibern auswirken.

Zufälligerweise kündigte STMicro, ein Forschungsinstitut von STMicroelectronics und CEA Tech, die gemeinsame Entwicklung von Silizium-basierte Galliumnitrid (GaN) Power Switching-Geräteherstellung Technologie. Die auf Silizium basierende GaN-Power-Technologie wird ST in die Lage versetzen, Hochleistungsanwendungen mit hoher Leistung zu erfüllen, einschließlich Ladegeräten für Hybrid- und Elektrofahrzeuge, drahtlose Ladegeräte und Server.

Der Schwerpunkt dieser Zusammenarbeit liegt in der Entwicklung und Validierung von Leistungsdioden und Transistoren für die Herstellung von Silizium-basierten Galliumnitrid-Strukturen auf 200-mm-Wafern. Das Marktforschungsinstitut HIS prognostiziert, dass der Markt bis 2024 eine durchschnittliche jährliche Wachstumsrate von mehr als 20% halten wird. STMicroelectronics und Leti nutzen das Rahmenprogramm des IRT Nanoelectronics Institute, um Prozesstechnologie auf Letis 200mm F & E-Linie zu entwickeln und bis 2019 nachprüfbare Konstruktionsproben fertigzustellen. Gleichzeitig wird STMicroelectronics auch eine qualitativ hochwertige Produktionslinie aufbauen, einschließlich des heterogenen GaN / Si-Epitaxieverfahrens, und plant, bis 2020 seine erste Produktion in der ehemaligen Wafer-Prozessfabrik in Frankreich durchzuführen.

Die Entwicklung von siliziumbasiertem GaN von der frühen Entwicklung bis zu Anwendungen im kommerziellen Maßstab ist zweifellos der disruptivste technologische Innovationsprozess, der eine neue Ära für die Halbleiterindustrie eröffnet.

A 5B RMB investment by the Chinese on EPI wafers and chips for GaN based power semiconductor.  

news.moore.ren/industry/33805.htm

das ca. 1% LV reduziert wurden die noch nicht aufgetaucht sind.
Dann haben wir einige LV die reduzieren und andre die wieder aufbauen, macht alles noch recht unsicher. Obwohl die LV mehr aufgebaut als abgebaut haben ist der Kurs gestern stark gestiegen, spricht zumindest dafür das es eine starke Aufwärtsbewegung gibt.
Dienstag ca. 0,7€ und heute ca. 0,3€, bin mal gespannt was der Bundesanzeiger morgen sagt, heute waren ja wieder mindestens 5 von 9 aktiv.
Mich wundert nur das einige den momentanen kurs nicht nutzen um ab zu bauen.
Mal schauen obs morgen weiter aufwärts geht?
Achja, 13 Tage noch bis zu den Q zahlen.

Staatsanwaltschaft Anzeigen,  die BaFin schaut nur zu !
Auch hier treiben die LV ihr Spiel !

Guten Morgen,

endlich bist du wieder da und teilst dein fundiertes Wissen mit uns.

Vielen Dank.  

Hi CWL1,

did you have a look at TSMC's Q3 results? Anything that you consider highlighting for Aixtron?
I saw 2 points:
1. Global smartphone demand is weaker, i.e. not growing strongly any more.
2. TSMC seems to be raising Capex from 10 to 12bn p.a.

Both should be a positive for Aixtron. It seems like smartphone demand is not growing further because of a lack of innovation... 3d sensing on the world side of the phone would obviously be a key differentiator, which would require Aixtron machines - if I am not mistaken.

Raising capex is positive as some might go towards Aixtrons pockets..

Happy to hear your thoughts. Anything on accelerating spending towards 3d sensing? Other potential innovations for smartphones?

Regards,
Fel

Evotec ist hier nicht.

Hier ist Aixtron!  

Die LV haben die macht, dagegen kommen die kleinen Anleger nicht an.

Das 1. Vernünftige was ich von dir gehört habe. "Aixtron von Watchliste gestrichen"

Dann werden wir ja hoffentlich bald Ruhe vor dir haben..

Hast wohl wieder Geld versemmelt bei Aix.???

Tipp von mir: Unten einsteigen und oben verkaufen, nicht kaufen wenn es schon angestiegen ist.  

Die Ist  Gold Wert :-)

Gewinn realisiert,
Aber manch warten wieder bis sie auf 8 oder tiefer fällt  

Die meisten, steigen aber unten aus haha
Ich steige bei Aixtron Vieleicht bei unter 8 wieder ein, mal schauen.
Habe bei Evotec aufgestockt :-)

Steht auf 17.5

Dat is niedrig wat rauchst du?  

bei den Halbleitern ? alle rot

Oder ist heute mal wieder "Malen nach Zahlen " angesagt, und die grüne Farbe war leer und man muss sich mit einem hässlichen Rot begnügen.

SAP und TSMC sind wohl die Ursache

sind doch einfach das Spiel geht weiter zwischen 8 und 10.

Das ich meine 3-4 sehe glaub ich auch nicht mehr aber der Ausbruch über 11.50 wird wohl noch auf sich warten lassen.  

SAP
Das ist aber jammern auf sehr hohem Niveau. Das Geschäft brummt, nur die Marge ist leicht gesunken.

Die Börsianer suchen zur Zeit aber überall das Haar in der Suppe und zum Teil wird heftig reagiert. Man kann schon feststellen, dass die Ausschläge im allgemeinen  nach oben und unten heftiger werden. Eine gewisse Nervosität ist nicht von der Hand zu weisen.